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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应：IRF630NSTRLPBF
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 4.9 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7.9 ns
零件号别名: SP001564548
单位重量: 4 g
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 9.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 23.3 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 82 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 4.9 S
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7.9 ns
零件号别名: SP001564548
单位重量: 4 g