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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
深圳市金嘉锐电子有限公司优势供应：IXFK150N15
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 26.16 mm
长度: 19.96 mm
系列: IXFK150N15
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.13 mm
商标: IXYS
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 10 g
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 560 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 26.16 mm
长度: 19.96 mm
系列: IXFK150N15
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.13 mm
商标: IXYS
下降时间: 45 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 10 g