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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 165 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II FRFET
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 值: 42 S
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 481 W
上升时间: 38 ns
系列: FCH072N60F
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 4.82 mm
单位重量: 6.390 g
制造商: Fairchild Semiconductor
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 52 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 165 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: SuperFET II FRFET
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 值: 42 S
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 481 W
上升时间: 38 ns
系列: FCH072N60F
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 140 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 4.82 mm
单位重量: 6.390 g