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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1670pF @ 50V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 14.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263（D²Pak）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），58A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1670pF @ 50V
Vgs（值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.1W（Ta），100W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 14.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-263（D²Pak）
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB