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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 40 ns
高度: 8.1 mm
长度: 10 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 40 W
上升时间: 25 ns
系列: 2SK2545
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 6 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: + 150 C
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 40 ns
高度: 8.1 mm
长度: 10 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 40 W
上升时间: 25 ns
系列: 2SK2545
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.5 mm
单位重量: 6 g