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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品分类
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产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 MOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 值: 124 S
高度: 4.57 mm
长度: 10.31 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 375 W
上升时间: 26 ns
系列: XPB020N10
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 77 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
宽度: 9.45 mm
零件号别名: IPB020N10N5ATMA1 SP
单位重量: 2 g
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 MOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: 1 N-Channel
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 值: 124 S
高度: 4.57 mm
长度: 10.31 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 375 W
上升时间: 26 ns
系列: XPB020N10
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 77 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
宽度: 9.45 mm
零件号别名: IPB020N10N5ATMA1 SP
单位重量: 2 g