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深圳市金嘉锐电子有限公司
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询价
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 3.35 kW
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: PRIME2
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 3.35 kW
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: PRIME2
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3