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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应：分立半导体模块 DF11MR12W1M1B11BOMA1
发布时间： 2018/7/17 14:29:18 | 468 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: Power MOSFET Modules
类型: SiC Power Module
Vf - 正向电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 20 V
安装风格: Press Fit
封装 / 箱体: Easy1B-2
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
配置: Dual
商标: Infineon Technologies
晶体管极性: N-Channel
下降时间: 12 ns
Id-连续漏极电流: 50 A
工作电源电压: -
Pd-功率耗散: 20 mW
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
上升时间: 9.6 ns
工厂包装数量: 24
子类别: Discrete Semiconductor Modules
商标名: CoolSIC
典型关闭延迟时间: 43.5 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1200 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V