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深圳市金嘉锐电子有限公司
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分立半导体 晶体管 MOSFET IXYS IXFB44N100Q3
发布时间： 2018/3/28 20:58:01 | 438 次阅读
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 44 A
Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 264 nC
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.56 kW
商标名: HyperFET
封装: Tube
系列: IXFB44N100
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
上升时间: 300 ns
工厂包装数量: 25
单位重量: 1.600 g