产品种类:  MOSFET   
制造商:  Texas Instruments   
RoHS:   详细信息  
技术:  Si   
安装风格:  SMD/SMT   
封装 / 箱体:  VSON-Clip-8   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  60 V   
Id-连续漏极电流:  100 A   
Rds On-漏源导通电阻:  3.3 mOhm   
Vgs th-栅源极阈值电压:  1.8 V   
Vgs - 栅极-源极电压:  20 V   
Qg-栅极电荷:  44 nC   
工作温度:  - 55 C   
工作温度:  + 150 C   
配置:  Single   
商标名:  NexFET   
封装:  Cut Tape   
封装:  Reel   
封装:  MouseReel   
商标:  Texas Instruments  
下降时间:  3.1 ns  
正向跨导 - 值:  143 S  
高度:  1 mm  
长度:  6 mm  
Pd-功率耗散:  3.2 W  
上升时间:  7.2 ns  
系列:  CSD18532Q5B  
工厂包装数量:  2500  
晶体管类型:  1 N-Channel  
典型关闭延迟时间:  22 ns  
典型接通延迟时间:  5.8 ns  
宽度:  5 mm