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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应STW25NM60N
发布时间： 2015/9/26 8:32:53 | 432 次阅读
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: STMicroelectronics
Id-连续漏极电流: 20 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 160 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 值: 17 S
工作温度: - 55 C
上升时间: 18 ns
系列: STW25NM60N
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 94 ns
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