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深圳市金嘉锐电子有限公司
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优势供应：FD150R12RT4
发布时间： 2015/10/16 21:10:45 | 414 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块RoHS: 符合RoHS 详细信息
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
Pd-功率耗散: 790 W
工厂包装数量: 10
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