深圳市金嘉锐电子有限公司

供应IRF6725MTRPBF

型号/规格:IRF6725MTRPBF 品牌/商标:Infineon 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:DirectFET-3

供应ATP613-TL-H

型号/规格:ATP613-TL-H 品牌/商标:ON 制造商:ON 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:TO-252-3

供应IRFB3407ZPBF

型号/规格:IRFB3407ZPBF 品牌/商标:IR 标准包装:50 包装:管件 类别:分立半导体产品 封装:TO-220-3

供应PMBFJ108

型号/规格:PMBFJ108 品牌/商标:NXP 制造商:NXP 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SOT-23

供应2SK209-GR

型号/规格:2SK209-GR 品牌/商标:Toshiba 制造商:Toshiba 产品种类:JFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SOT-346

供应TK6A65D

型号/规格:TK6A65D 品牌/商标:Toshiba 包装:管件 类别:分立半导体产品 功率 - 值:45W 封装:TO-220-3

供应AUIRFS4310ZTRL

型号/规格:AUIRFS4310ZTRL 品牌/商标:Infineon 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 封装:TO-252-3 晶体管极性:N-Channel

供应BF999E6327HTSA1

型号/规格:BF999E6327HTSA1 品牌/商标:Infineon 制造商:Infineon 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Id-连续漏极电流:30 A 封装:SOT-23

供应NTMFS4937NT1G

型号/规格:NTMFS4937NT1G 品牌/商标:ON 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SO-8 通道数量:1 Channel

供应ECH8601M-TL-H

型号/规格:ECH8601M-TL-H 品牌/商标:ON 制造商:ON 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:ECH-8

供应IPA50R520CP

型号/规格:IPA50R520CP 品牌/商标:Infineon Technologies 制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:TO-220-3

供应FDC654P

型号/规格:FDC654P 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SSOT-6 晶体管极性:P-Channel

供应2SK3667

型号/规格:2SK3667 品牌/商标:Toshiba 标准包装:50 类别:分立半导体产品 制造商:Toshiba Vds-漏源极击穿电压:600 V

供应SI3457DV

型号/规格:SI3457DV 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SSOT-6 通道数量:1 Channel

供应SI7252DP-T1-GE3

型号/规格:SI7252DP-T1-GE3 品牌/商标:Vishay 产品种类:符合RoHS 详细信息 封装:SO-8 通道数量:2 Channel 晶体管极性:N-Channel

供应RCLAMP0502A.TCT

型号/规格:RCLAMP0502A.TCT 品牌/商标:Semtech 产品种类:ESD 抑制器 击穿电压:6 V 钳位电压:18 V Cd - 二极管电容:0.9 pF

供应LCDA12C-1.TCT

型号/规格:LCDA12C-1.TCT 品牌/商标:Semtech 产品种类:ESD 抑制器 RoHS:符合RoHS 详细信息 Cd - 二极管电容:15 pF Pd-功率耗散:500 W

供应SM15.TCT

型号/规格:SM15.TCT 品牌/商标:Semtech 产品种类:ESD 抑制器 RoHS:符合RoHS 详细信息 Vesd - 静电放电电压触点:8 kV Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV

供应HI1206N101R-10

型号/规格:HI1206N101R-10 品牌/商标:Laird Technologies 产品种类:EMI滤波珠子、芯片与阵列 RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:1206 (3216 metric) 阻抗:100 Ohms

供应IRFP460C

型号/规格:IRFP460C 品牌/商标:IR 产品种类:MOSFET RoHS:MOSFET 封装:TO-3P-3 通道数量:1 Channel

供应MUN5211T1G

型号/规格:MUN5211T1G 品牌/商标:ON 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SC-70/SOT-323-3 集电极—发射极电压 VCEO:50 V

供应MMBT3904

型号/规格:MMBT3904 品牌/商标:Fairchild 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装:SOT-23 晶体管极性:NPN 集电极—发射极电压 VCEO:40 V

供应FDS6375

型号/规格:FDS6375 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET 封装:SOIC-Narrow-8 通道数量:1 Channel 晶体管极性:P-Channel

供应BC860C,215

型号/规格:BC860C,215 品牌/商标:NXP 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS:符合RoHS 详细信息 封装:SOT-23 晶体管极性:PNP 集电极—发射极电压 VCEO:45 V

供应USBDF01W5

型号/规格:USBDF01W5 品牌/商标:ST 产品种类:ESD 抑制器 RoHS:符合RoHS 详细信息 商标:Reel 工厂包装数量:3000

供应BSS84

型号/规格:BSS84 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET 封装:SOT-23-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:P-Channel

供应STD5NM50T4

型号/规格:STD5NM50T4 品牌/商标:ST 封装 / 箱体:TO-252-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms

供应：hcpl-3120-500E

型号/规格:hcpl-3120-500E 品牌/商标:Broadcom 产品种类:逻辑输出光电耦合器 封装 / 箱体:DIP-8 Gull Wing 输出类型:Open Collector 绝缘电压:3750 Vrms

供应HUF75329D3ST

型号/规格:HUF75329D3ST 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET 封装 / 箱体:TO-252-3 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:55 V

供应MMDL914T1G

型号/规格:MMDL914T1G 品牌/商标:ON 产品种类:二极管 - 通用，功率，开关 封装 / 箱体:SOD-323 峰值反向电压:100 V 浪涌电流:0.2 A

供应BC847BPDW1T1G

型号/规格:BC847BPDW1T1G 品牌/商标:ON 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 封装 / 箱体:SC-70-6 晶体管极性:NPN, PNP 配置:Dual

供应FQB27P06TM

型号/规格:FQB27P06TM 品牌/商标:Fairchild 产品种类:MOSFET 封装 / 箱体:TO-252-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:P-Channel

供应IRF7416TRPBF

型号/规格:IRF7416TRPBF 品牌/商标:IR 产品种类:MOSFET 安装风格:SMD/SMT 通道数量:1 Channel 晶体管极性:1 Channel

供应ECH8695R-TL-W

型号/规格:ECH8695R-TL-W 品牌/商标:ON 产品种类:MOSFET 封装 / 箱体:ECH-8 通道数量:2 Channel 晶体管极性:N-Channel

供应SPW55N80C3

型号/规格:SPW55N80C3 品牌/商标:Infineon 产品种类:MOSFET 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V

供应2N6284G

型号/规格:2N6284G 品牌/商标:ON 产品种类:达林顿晶体管 配置:Single 晶体管极性:NPN 集电极—发射极电压 VCEO:100 V

供应SPA04AB

型号/规格:SPA04AB 品牌/商标:C&K 产品种类:DIP 开关/ SIP 开关 位置数量:4 Position 开关类型:SIP 执行器:Slide

供应IXTH24N50

型号/规格:IXTH24N50 品牌/商标:IXYS 产品种类:MOSFET 封装:TO-247-3 通道数量:1 Channel 晶体管极性:N-Channel