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深圳市金嘉锐电子有限公司
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产品信息
制造商: Infineon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
技术: Si
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
系列: BF999
工厂包装数量: 3000
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 6.5 V
零件号别名: BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP
单位重量: 201 mg
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
技术: Si
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 200 mW
系列: BF999
工厂包装数量: 3000
类型: RF Small Signal MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 6.5 V
零件号别名: BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP
单位重量: 201 mg