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深圳市金嘉锐电子有限公司
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供应：CGH60030D-GP4
发布时间： 2018/6/15 16:20:21 | 355 次阅读
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 15 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流: 3 A
输出功率: 30 W
漏极/栅极电压: -
工作温度: -
工作温度: -
Pd-功率耗散: -
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Waffle
应用: -
配置: Dual
高度: 100 um
长度: 1660 um
工作频率: 4 GHz to 6 GHz
工作温度范围: -
产品: GaN HEMT
宽度: 920 um
商标: Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压: -
通道数量: 2 Channel
类: -
开发套件: -
下降时间: -
NF—噪声系数: -
P1dB - 压缩点: -
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 500 mOhms
上升时间: -
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: -
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V